三星宣布其新的GDDR6RAM以更快的24Gbps速度运行，现在正在“采样”，这意味着正在接受合作伙伴的测试和运行。在新闻声明中(在新标签中打开)，该公司吹嘘新的24Gbps内存模块将比其前身(运行速度为18Gbps的GDDR6)快30%。新的RAM每秒能够传输1.1TB的数据(正如三星指出的那样，1.1TB相当于275部电影的全高清分辨率)。
新的GDDR6RAM建立在三星使用EUV的第三代10nm工艺之上，专为高性能显卡而设计，包括“下一代GPU平台”，当然意味着今年晚些时候入库的RTX4000和RDNA3产品(内存还将用于游戏机、高性能计算系统等)。
这个全新的GDDR6系列还将为笔记本电脑提供低功耗选项。这些将受益于DVS技术，或动态电压切换，它根据硬件当前正在执行的操作的要求改变施加的电压，允许内存降至1.1V，而当前RAM模块为1.35V，因此提供大约提高20%的电源效率。
笔记本电脑上的后一点是非常令人兴奋的消息，因为它将延长电池寿命，因此可以提供更多汁液以促进旅途中的游戏。
当然，这在桌面GPU方面同样令人兴奋，有消息称Nvidia和AMD的下一代显卡——分别是Lovelace和RDNA3——将能够从更快的VRAM中受益。事实上，这支持了我们几个月前听到的关于Nvidia使用24Gbps视频内存及其高端AD102Lovelace芯片(将为RTX4090和更高版本的显卡供电的芯片)的传言。
问题是我们什么时候可以在下一代GPU中看到这种新的VRAM?它最初可能会出现在高级显卡中，因为我们猜测内存将转向昂贵的一面，尤其是刚开始时。这将指向RTX4090之类的产品——毕竟，据传它是Nvidia准备推出的第一款Lovelace显卡——假设24GbpsRAM尚未经过测试并准备好批量生产(或至少有一些商业量)很快。
请记住，RTX4090可能会在9月问世，而现在只有几个月的时间了。再说一次，由于RTX3000库存过多需要清理，英伟达希望将RTX4000产品的推出推迟到今年年底。
如果事实证明，在第一批下一代产品中推出这种更快的GDDR6VRAM可能过于匆忙——对于AMD来说，它正在考虑与Nvidia类似的发布时间——内存可能会出现在以后的型号，也许明年。无论如何，我们将看到各种RTX4000和RX7000GPU的交错发布，以及不可避免的更新，如Nvidia的Ti模型，因此这些后来的产品可能是那些将获得24Gbps的产品好东西。
还有一点悬而未决的是，使用这款三星内存的成本究竟是多少，AMD和英伟达将不得不权衡它所使用的显卡。这意味着如果它非常昂贵，离开高端卡没有多大意义。
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